Жорес Алферов окончил школу с золотой медалью. После школы он поехал в Ленинград и без вступительных экзаменов был зачислен на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ). На выбор института тоже повлиял учитель физики: будущий нобелевский лауреат был «поражён», как он выразился, рассказом Якова Борисовича о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации.

ЛЭТИ был ведущим институтом страны в области радиотехники и электроники, советским вузом с великими еще с дореволюционных лет традициями и вписанными в историю именами его профессоров А. С. Попова, М. Шателена, А. И. Берга, С. Я. Соколова, многих других учёных. Уже на третьем курсе Жорес Алферов пошёл работать в вакуумную лабораторию профессора Б. П. Козырева. Как он писал в своей автобиографии, «математика и теоретические дисциплины давались мне очень легко, и поэтому меня привлекала работа руками». Свою тогдашнюю научную руководительницу он неизменно называет среди своих главных учителей (и людей, которые много определили в его жизни). Именно она привила ему интерес к полупроводникам. Это была Наталья Николаевна Созина, которая исследовала полупроводниковые фотоприёмники в ИК-области спектра. А первой проштудированной им монографией по физике полупроводников стала книга Ф. Ф. Волькенштейна «Электропроводность полупроводников», написанная во время блокады Ленинграда.

Еще на последних курсах Жорес Алфёров мечтал о Физтехе, возглавляемом легендарным Абрамом Фёдоровичем Иоффе, чья монография «Основные представления современной физики» стала для него настольной книгой. При распределении были три вакансии в этом институте, и одна досталась ему. Позже он напишет, что его счастливая жизнь в науке была предопределена именно этим удачным распределением. В письме родителям в Минск он сообщил о выпавшем ему огромном счастье работать в институте Иоффе. Жорес тогда ещё не знал, что Абрама Фёдоровича за два месяца до этого вынудили уйти из созданного им института, где он директорствовал более 30 лет. Однако созданная им атмосфера осталась, и молодые ученые сразу включались в исследовательскую деятельность.

Небольшой коллектив под руководством заведующего сектором В. М. Тучкевича, куда он попал сразу после института, решал очень важную задачу – создание первых отечественных германиевых диодов и триодов (транзисторов) с p-n-переходами.

Этот термин, это пространство, эта среда – p-n-переходы, и стали главным делом его жизни. «Открытие американскими физиками Д. Бардином и У. Браттейном в 1948 году транзисторного эффекта вызвало у физиков и радиоинженеров всего мира необычайный интерес. Эта работа и последовавшее затем создание p-n-переходов в монокристаллах германия и их теории стимулировали лавинное нарастание исследований по физике и технологии полупроводников, что в конечном счете привело к технической революции в области радиоэлектроники и электротехники, значение которой, по-видимому, ничуть не меньше, чем открытие ядерной энергии для энергетики, – писал Жорес Алферов в своей книге «Физика и жизнь». – Блестящий успех полупроводникам обеспечили уникальные физические свойства p-n-перехода – искусственно созданного в полупроводниковом монокристалле распределения примесей, при котором в одной части кристалла носителями отрицательного заряда являются электроны, а в другой носителями положительного заряда – квазичастицы, получившие название «дырок». Благодаря p-n-переходу в кристаллах удалось осуществить инжекцию электронов и дырок, а простая комбинация двух p-n-переходов позволила реализовать кристаллические усилители с высокими параметрами.